英飞凌碳化硅功率半欧亿导体成功应用于丰田“bZ4X”新车型

英飞凌科技股份公司近日宣布，bZ4X全球最大汽车制造商丰田已在其新款车型bZ4X中采用了英飞凌的英飞用于CoolSiC™ MOSFET（碳化硅功率MOSFET）产品。这款碳化硅MOSFET集成在车载充电器（OBC）和DC/DC转换器中，凌碳欧亿利用碳化硅材料低损耗、化硅耐高温、功率功耐高压的半导特性和优势，能够有效延长电动汽车的体成续航里程并缩短充电时间。

丰田新款bZ4X车型在车载充电器与DC/DC转换器中采用了英飞凌CoolSiC™技术（图片由丰田提供）

英飞凌科技执行副总裁、丰田汽车业务首席营销官Peter Schaefer表示：“全球最大的新车型汽车制造商之一丰田选用了英飞凌的CoolSiC技术，对此我们深感自豪。bZ4X欧亿碳化硅能够有效提升电动汽车的英飞用于续航能力、效率和性能，凌碳因此也将在塑造未来交通出行的化硅过程中发挥重要作用。英飞凌矢志创新，功率功承诺零缺陷品质，半导已做好充分准备，蓄势待发，以应对电动交通出行领域功率电子需求的快速增长。”

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用独特的沟槽栅结构，可降低归一化导通电阻并缩减芯片尺寸，从而减少导通和开关损耗，有助于提升汽车车载电源系统的效率。此外，经过优化的寄生电容和栅极阈值电压支持单极栅极驱动，不仅有助于简化汽车电驱系统的驱动电路设计，也能为车载充电器和DC/DC转换器实现高密度、高可靠性的设计提供支持。

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